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    IGBT对比

    2019-05-04
    输出特性(xing)与转(zhuan)移特性(xing):

    IGBT的(de)(de)(de)伏安特(te)性是指以栅极(ji)(ji)电(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)VGE为(wei)参变量(liang)时(shi),集(ji)(ji)电(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)电(dian)(dian)(dian)流IC与(yu)(yu)集(ji)(ji)电(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)电(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)VCE之(zhi)间的(de)(de)(de)关系(xi)(xi)曲(qu)线。IGBT的(de)(de)(de)伏安特(te)性与(yu)(yu)BJT的(de)(de)(de)输出特(te)性相(xiang)似,也可(ke)分(fen)为(wei)饱(bao)和区(qu)I、放大(da)区(qu)II和击穿(chuan)区(qu)III三部分(fen)。IGBT作为(wei)开(kai)关器件稳态时(shi)主(zhu)要工作在(zai)饱(bao)和导通区(qu)。IGBT的(de)(de)(de)转移(yi)特(te)性是指集(ji)(ji)电(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)输出电(dian)(dian)(dian)流IC与(yu)(yu)栅极(ji)(ji)电(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)之(zhi)间的(de)(de)(de)关系(xi)(xi)曲(qu)线。它与(yu)(yu)MOSFET的(de)(de)(de)转移(yi)特(te)性相(xiang)同(tong),当栅极(ji)(ji)电(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)VGE小于开(kai)启电(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)VGE(th)时(shi),IGBT处于关断状态。在(zai)IGBT导通后(hou)的(de)(de)(de)大(da)部分(fen)集(ji)(ji)电(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)电(dian)(dian)(dian)流范围内,IC与(yu)(yu)VGE呈线性关系(xi)(xi)。

    IGBT与MOSFET的对比(bi):

    MOSFET全称(cheng)功率场效应晶体管。它的三个(ge)极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。

    主要(yao)优点(dian):热稳定性好、安全工作(zuo)区(qu)大。

    缺点:击穿电(dian)压(ya)低,工作电(dian)流(liu)小。

    IGBT全称绝(jue)缘(yuan)栅(zha)双极晶体管(guan),是MOSFET和(he)GTR(功率晶管(guan))相结合的(de)产物。它(ta)的(de)三个(ge)极分别是集电极(C)、发射(she)极(E)和(he)栅(zha)极(G)。

    特点(dian):击穿电压可达(da)1200V,集电极最大饱(bao)和电流已超过1500A。由IGBT作为(wei)逆(ni)变(bian)器件的变(bian)频(pin)器的容量(liang)达(da)250kVA以上,工作频(pin)率可达(da)20kHz。

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